具有二维光子晶体的发光二极管

项目分类:知识产权专利

项目进度:市场推广阶段     

更新时间:2018-03-21

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详细信息

项目亮点:

一种成本低的具有二维光子晶体的发光二极管,它涉及具有光子晶体的发光二极管。本发明解决现有发光二极管生产成本高,及对半导体有源层具有损伤的问题。

项目投资:
个人自筹
项目进度:
市场推广阶段
合作方式:
技术入股, 技术转让, 技术服务, 合作开发
项目地区:
黑龙江
项目描述:

一种成本低的具有二维光子晶体的发光二极管,它涉及具有光子晶体的发光二极管。本发明解决现有发光二极管生产成本高,及对半导体有源层具有损伤的问题。本发明发光二极管,包括衬底、缓冲层、N型掺杂半导体层、有源层、P型掺杂半导体层、电流扩散层、P型电极和N型电极,其中在N型掺杂半导体层与空气的界面上,以及P型掺杂半导体层与空气的界面上覆盖二维光子晶体层,二维光子晶体层为单层微球有序排列结构,微球粒径50nm~5μm。二维光子晶体层改善半导体层与外界的折射律差值,利用弱光子晶体效应,提高了出光率,较传统发光二极管提高了10%~20%。适宜于大面积和工业化生产。

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